Справочные характеристики биполярного высокочастотного p-n-p транзистора КТ877Б
Данная страница содержит справочную информацию о характеристиках биполярного высокочастотного p-n-p транзистора КТ877Б . Дана подробная информация о характеристиках, схемах, параметрах, ценах, местах продажи и производителях, а так же описаны аналоги зарубежных производителей.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Кремний Структура полупроводникового перехода: pnp Pc: 50W; Ucb: 60V; Uce: 60V; Ueb: 5V; Ic: 20A; Tj: 175°C; Ft: 100MHz; Cc: 830; Hfe: 10000T Производитель: Россия Сфера применения: Darlington, Power
Мы надеемся, что сайт будет полезен опытным и начинающим радиолюбителям , конструкторам и всем тем, кому интересны данные сведения о транзисторах.
Если Вы заметили ошибку, просим известить нас по адресу tranzistor @ kolossale . ru
