Справочные характеристики биполярного транзистора ГТ813Б

Данная страница содержит справочную информацию о характеристиках биполярного транзистора ГТ813Б . Дана подробная информация о характеристиках, схемах, параметрах, ценах, местах продажи и производителях, а так же описаны аналоги зарубежных производителей.



Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Германий
Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc: 50W; Ucb: -; Uce: 125V; Ueb: 2V; Ic: 40A; Tj: 85°C; Ft: -; Cc: -; Hfe: 10/60
Производитель: Россия
Сфера применения: High Power, High Voltage


Информация о местах продажи, ценах, производителях и схемах транзистора ГТ813Б
Аналоги транзистора ГТ813Б



Содержание справочника транзисторов

Главная

Характеристики транзисторов биполярных низкочастотных n-p-n

Характеристики транзисторов биполярных низкочастотных p-n-p

Характеристики транзисторов биполярных высокочастотных n-p-n

Характеристики транзисторов биполярных высокочастотных p-n-p

Характеристики транзисторов биполярных сверхвысокочастотных n-p-n

Характеристики транзисторов биполярных сверхвысокочастотных p-n-p

Характеристики сборок биполярных транзисторов p-n-p

Характеристики сборок биполярных транзисторов n-p-n

Характеристики сборок биполярных транзисторов p-n-p и n-p-n

Характеристики транзисторов полевых



Мы надеемся, что сайт будет полезен опытным и начинающим радиолюбителям , конструкторам и всем тем, кому интересны данные сведения о транзисторах.
Если Вы заметили ошибку, просим известить нас по адресу tranzistor @ kolossale . ru

Спасибо за сотрудничество.



Top.Mail.Ru Яндекс цитирования