Справочные характеристики биполярного низкочастотного n-p-n транзистора КТ8157А

Данная страница содержит справочную информацию о характеристиках биполярного низкочастотного n-p-n транзистора КТ8157А . Дана подробная информация о характеристиках, схемах, параметрах, ценах, местах продажи и производителях, а так же описаны аналоги зарубежных производителей.



Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Кремний
Структура полупроводникового перехода: npn
Pc: 150W; Ucb: 1500V; Uce: -; Ueb: 7V; Ic: 10A; Tj: 150°C; Ft: 5MHz; Cc: -; Hfe: 8MIN
Производитель: Россия
Сфера применения: Power, General Purpose


Информация о местах продажи, ценах, производителях и схемах транзистора КТ8157А
Аналоги транзистора КТ8157А



Содержание справочника транзисторов

Главная

Характеристики транзисторов биполярных низкочастотных n-p-n

Характеристики транзисторов биполярных низкочастотных p-n-p

Характеристики транзисторов биполярных высокочастотных n-p-n

Характеристики транзисторов биполярных высокочастотных p-n-p

Характеристики транзисторов биполярных сверхвысокочастотных n-p-n

Характеристики транзисторов биполярных сверхвысокочастотных p-n-p

Характеристики сборок биполярных транзисторов p-n-p

Характеристики сборок биполярных транзисторов n-p-n

Характеристики сборок биполярных транзисторов p-n-p и n-p-n

Характеристики транзисторов полевых



Мы надеемся, что сайт будет полезен опытным и начинающим радиолюбителям , конструкторам и всем тем, кому интересны данные сведения о транзисторах.
Если Вы заметили ошибку, просим известить нас по адресу tranzistor @ kolossale . ru

Спасибо за сотрудничество.



Top.Mail.Ru Яндекс цитирования